স্নাপড্রাগন ৮১০ চিপ ব্যবহারে ডিভাইস অতিমাত্রায় উত্তপ্ত!
বুধবার, মার্চ 18 2015
স্নাপড্রাগন ৮১০ চিপ ব্যবহারে ডিভাইস অতিমাত্রায় উত্তপ্ত!
Ad
এক তুলনামুলক পরীক্ষায় এইচটিসি ওয়ান এম৯ সবচেয়ে বেশি উত্তাপ সৃষ্টি করেছে। অন্যান্য বেশ কিছু মোবাইল ফোনের সাথে সম্প্রতি করা জ্এিফএক্সবেঞ্চ এর তুলনামূলক পরীক্ষায় দেখা গেছে এইচটিসি ওয়ানএম৯ ফোনটির উপরিভাগের তাপমাত্রা হয়েছে ১৩২ডিগ্রী ফারেনহাইট। অন্য যে সব ফোনের সাথে তুলনামূলক পরীক্ষাটি চালানো হয়েছিল সেগুলি হলো এইচটিসি ওয়ান এম৮, অ্যাপেল আইফোন ৬ প্লাস, এলজি জি৩ ও স্যামসাং গ্যালাক্সি নোট ৪। আর পরীক্ষায় এই ফোনগুলির সব ক’টিই বেশ ঠান্ডা ছিল। ধারণা করার যথেষ্ট কারণ আছে যে, এইচটিসি ওয়ান এম৯ তে ব্যবহৃত কোয়ালকম স্নাপড্রাগন ৮১০ চিপসেটই বেশী উত্তাপ সৃষ্টির জন্যে দায়ী।
পরীক্ষাকালীন সময়ে দেখা গেছে অ্যাপেল আইফোন ৬ এর তাপমাত্রা ছিল ১০৩ ডিগ্রী ফারেনহাইট এবং এইচটিসি ওয়ান (এম৮) এর ১০২ ডিগ্রী ফারেনহাইট। আর স্যামসাং গ্যালাক্সি নোট ৪ সবচেয়ে কম উত্তপ্ত হয়েছিল, যা ছিল ১০০ ডিগ্রী ফারেনহাইট। ১০৮ ডিগ্রী ফারেনহাইট তাপমাত্রায় পৌঁছে এই পরীক্ষায় বেশী উত্তপ্ত হওয়ার দিক থেকে দ্বিতীয় স্থানে ছিল এলজি জি৩।
তুলনামূলক পরীক্ষায় প্রাপ্ত ফলাফলের মধ্য দিয়ে এটা প্রমাণিত হলো যে, এইচটিসি ওয়ান এম৯ সম্পর্কে উত্তপ্ত হয়ে যাওয়ার যে গুজব রটেছিল তা সত্যি ছিল। স্নাপড্রাগন ৮১০ এখন পর্যন্ত অতিরিক্ত তাপমাত্রা নিয়ন্ত্রণ করতে পারেনি যা স্যামসাংকে আতঙ্কিত করে তুলেছিল। আতঙ্কিত হয়েছিলেন গ্রাহকেরাও। তারপরেও এলজি এই গত জানুয়ারীতে দাবী করেছিল যে, এলজি জি ফ্লেক্স ২ এবং আসন্ন এলজি জি৪ এ ব্যবহৃত চিপটিই সবচেয়ে কম উত্তাপ সৃষ্টিকারী প্রসেসর। গত মাসে অন্য একটি পরীক্ষায় প্রাপ্ত তথ্য দিয়ে দেখানো হয়েছিল মোবাইল ফোনকে স্নাপড্রাগন ৮১০, স্নাপড্রাগন ৮০১ এর চেয়ে কম উত্তপ্ত করে।
স্মরণে রাখা প্রয়োজন যে, এইচটিসি ওয়ান এম৯-কে অবমুক্ত করার পূর্বে ব্যবহৃত পরীক্ষামূলক সফটওয়্যার দিয়ে চালানো হয়েছিল। আর এতে পরীক্ষায় প্রাপ্ত ফলাফল প্রত্যাশা পূরণে ব্যর্থ হয়েছে। আরেকটি কথা- স্নাপড্রাগন ৮১০ চিপ দিয়ে চালানো এলজি জি ফ্লেক্স ২ এর বিষয়ে অতিমাত্রায় উত্তপ্ত হয়ে পরার কোন অভিযোগ এখনো উত্থাপিত হয় নি।
Ad
তথ্যসূত্রঃ tweakers